石英坩堝是不同尺寸的圓形坩堝形狀的石英玻璃製品。它們具有氣泡（內層）極少、二氧化矽純度極高、熔點高的優點。用於CZF製程拉製晶片和光伏產業所需的單晶矽棒。
在半導體產業中，石英坩堝對鹼金屬和過渡金屬的雜質含量有很高的要求。鹼金屬雜質會影響石英坩堝的熱性能，降低石英製品的耐溫性能，降低其熔點，使高溫性能變差；過渡金屬雜質會降低導電率，並縮短半導體的使用壽命。雜質含量高也會產生氣泡、色斑等缺陷，降低石英坩堝的透明度，嚴重時影響石英坩堝的成型。
為了提高生產效率、降低成本，朝向更大尺寸演進是半導體矽片製造技術的發展方向。矽片尺寸越大，單晶片上可以製造的晶片就越多，單晶片的成本也會隨之降低。同時，在圓形矽片上製作矩形晶片，會使矽片邊緣的一些區域無法使用，這必然會浪費一些矽片。矽片的尺寸越大，矽片邊緣的損耗就越小，有利於進一步降低晶片的成本。
半導體矽片不斷向更大尺寸方向發展，從最初的2英寸到現在的12英寸，未來還可能發展到18英寸，矽片可用面積比例將逐漸增大。這也促使矽單晶矽材料進一步朝向無缺陷、大尺寸、高均勻性和結構完整性方向發展。
未來，大尺寸矽片需求的持續成長將帶動半導體石英坩堝規模進一步成長。隨著8吋和12吋半導體矽片出貨量的持續成長，相應的24吋和32吋半導體石英坩堝的需求不斷增加。